Foro de energía solar

He probado en simulador con este esquema y un bipolar:
El bipolar es éste: https://docs-emea.rs-online.com/webdocs ... c6598e.pdf

Si puedes meterlo en tu simulador, a ver qué sale.

Gabriel_2018 escribió: ↑09 Abr 2019, 13:50 He probado en simulador con este esquema y un bipolar:

circ.jpg

El bipolar es éste: https://docs-emea.rs-online.com/webdocs ... c6598e.pdf

Si puedes meterlo en tu simulador, a ver qué sale.

He puesto el BU323ZG que lo tengo, no es el mismo pero de rango tensiones similar y también para 'ignition coil', aunque es de cápsula más pequeña.

Gabriel_2018 escribió: ↑09 Abr 2019, 13:17

Vitriolo escribió: ↑09 Abr 2019, 12:41
Ya sé que los datos no son trasladables, pero la gráfica 3 del datasheet del IGBT que has puesto, a Vge de 15V, nos da una Ic máx de 'sólo' 20 A para Vce de 50V y pulso de 1mS, en la SOA.

Ya, pero es que eso es exactamente 1 J, que es mucha energía.

Los simuladores, no os permiten operadores booleanos para tener directamente la disipación en el semiconductor?

jeopardize escribió: ↑09 Abr 2019, 19:04

Gabriel_2018 escribió: ↑09 Abr 2019, 13:17

Vitriolo escribió: ↑09 Abr 2019, 12:41
Ya sé que los datos no son trasladables, pero la gráfica 3 del datasheet del IGBT que has puesto, a Vge de 15V, nos da una Ic máx de 'sólo' 20 A para Vce de 50V y pulso de 1mS, en la SOA.

Ya, pero es que eso es exactamente 1 J, que es mucha energía.

Los simuladores, no os permiten operadores booleanos para tener directamente la disipación en el semiconductor?

Lo ignoro, todavía no me he leído el manual !!

Lo que si le pude hacer es conectar un vatímetro, pero como sólo da valores numéricos y no curvas, solo le ví al MOS una potencia instantánea de 1300W...
Al NPN era más baja, pero no recuerdo cuanto. A ver si le consigo sacar curvas... el analizador I V para transistores todavía no lo sé usar.

Vitriolo escribió: ↑09 Abr 2019, 19:34

jeopardize escribió: ↑09 Abr 2019, 19:04

Gabriel_2018 escribió: ↑09 Abr 2019, 13:17

Ya, pero es que eso es exactamente 1 J, que es mucha energía.

Los simuladores, no os permiten operadores booleanos para tener directamente la disipación en el semiconductor?

Lo ignoro, todavía no me he leído el manual !!

Vamos, me refiero a que en lugar de pedir gráfica de VDS e IDS, no podéis pedir directamente VDS*IDS, es decir, la potencia .
Pspice lo permite. Me extrañaría que el que usáis no...

Puede ser conveniente colocar una resistencia aguas arriba del colector/drenador, que absorbe parte importante te la energía.

Creo que lo de la resistencia puede venir muy bien.

Aquí aparece un apagado sin resistencia y otro con ella.

En el primer recuadro tenemos las dos tensiones de Gate.

En el segundo las tensiones de transistor y resistencia, con MOS.

En el tercero la intensidad.

Y la potencia que absorbe la resistencia:
Habría que ver si con una de 2 W es suficiente...

Voy a mayorar la energía así:
Aproximadamente 0.76 J. Si mayoramos suponiendo que es adiabático, sin transferencia de calor al exterior de la resistencia, la subida de temperatura sería 0.76/ (Mres x Cp)

donde M y Cp son la masa y el calor específico de la resistencia. A ver si lo encuentro por alguna parte. Parece que la masa cerámica es de unos 70 mg y el calor específico 720 J/kg K

0.76 / (0.000070 x 720) = 15 º C. Parece que podría funcionar.

Algún comentario de las últimas propuestas?

Gabriel_2018 escribió: ↑10 Abr 2019, 13:28 Algún comentario de las últimas propuestas?

No me ha dado tiempo de analizarlo, aunque me parece muy buena idea.
Pero, has pensado en poner un termistor tipo PTC en lugar de una resistencia ?
p.e.:
https://es.rs-online.com/web/p/termistores/0381586/

Ventajas : Gran capacidad de absorción de corriente, si el MOS -IGBT o BJT se quedase en corto, esta PTC se autoregula y la corriente disminuye cuando se caliente.

Las había utilizado para la alimentación de relés electrónicos multifunción y multitensión, un simple rectificador, PTC y zener ya tienes una tensión más o menos estable, aunque en este caso eran de corriente más baja, creo recordar.